Найдено 95 товаров
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 MBps, случайный доступ: 300000/400000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 MBps, случайный доступ: 300000/400000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11T, микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11T, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/520 MBps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/520 MBps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1400000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1400000 IOps, совместимость с PS5
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/4000 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1871/1145 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1871/1145 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Maxio MAS0902A-B2C, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/65000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps